Produktdetails:
|
Basis: | 4J29 | Glasisolierung: | BH-A/K |
---|---|---|---|
Isolationswiderstand: | 500V | Leckrate: | ≤1*10^-3Pa.cm3/s |
Shell übernehmen Material: | FeNiCo, FeNi42 oder CRS; | ||
Markieren: | Entwurfstitel des Transistor-8pin,Kappe 4J42 Transistor-Entwurfstitel,Transistor Kastentitel völlig überziehen |
Produkt-Name | Robuste prägende Basis mit einer großer Durchmesser-Draht-Bondoberfläche | |
Produkt-Modell | JOPTEC | |
Überziehen der Beschichtung | Au oder selektives überziehendes Au völlig überziehen | |
Ende | Shell und Stifte sind überzogenes Ni: 2~11.43um und Au≥1.3um; Kappe ist überzogenes Ni: 2~11.43um | |
Produkt-Bildung | Material | Quantität |
1. Basis | 4J29 | 1 |
2. Glasisolierung | BH-A/K | 8 |
3. Pin | 4J29 | 8 |
4. Kappe | 4J42 | 1 |
Isolationswiderstand | Widerstand DC-500V zwischen allen verbundenen Stiften und Basis ist ≥1*10^9Ω | |
Hermeticity | Leckrate ist ≤1*10^-3Pa.cm3/s | |
Produkt-Eigenschaften | 1. Shell nehmen Material an: FeNiCo, FeNi42 oder CRS; | |
2. Die Form des Stiftes ist cyclinder und gerade, nimmt Material Kovar.The-Form des Stiftes verwendet als Verpfändung ist cyclinder oder nailhead an. | ||
3. Die Methode der versiegelnden Kappe ist Stoßschweißen oder Zinnschweißen. | ||
4. Der Rang des Stiftes, die die Unterseite der Basis kreuzen, könnte von den Kunden gewählt werden. | ||
5. Die Position des Massepunkts kann vom Kunden gewählt werden. | ||
6. Der Entwurf von Kappen muss das Oberteil passen. | ||
7. Kunde könnte Oberteil wählen völlig überziehen oder Stiftselektiver Überzug. |
Ansprechpartner: JACK HAN
Telefon: 86-18655618388